Efecto del voltaje positivo del accionamiento de la puerta sobre el rendimiento de los semiconductores de potencia
2024-12-19 19:43
4
El voltaje de compuerta positivo puede reducir las pérdidas de conducción y las pérdidas de activación de los MOSFET e IGBT, pero puede afectar la capacidad de resistencia a cortocircuitos. Para IGBT de 1200 V, se recomienda utilizar un controlador de 15 V; para MOSFET de SiC de 1200 V, se recomienda utilizar un controlador de 18 V.
