Infineon uvádí na trh novou generaci technologie CoolSiC™ MOSFET G2

Společnost Infineon Technologies uvádí na trh technologii zákopových bran CoolSiC™ MOSFET druhé generace pro zlepšení účinnosti energetického systému. Tato technologie se používá v elektrických vozidlech, solární energii a dalších oblastech k efektivnímu snížení spotřeby energie a zlepšení výkonu. Například rychlonabíjecí stanice pro elektromobily mohou snížit ztráty energie o 10 % a zlepšit účinnost nabíjení.