Infineon випускає новий CoolSiC™ MOSFET 2000V

Infineon Technologies випускає новий MOSFET CoolSiC™ 2000 В у корпусі TO-247PLUS-4-HCC для підтримки більшої щільності потужності. Підходить для сонячних батарей, систем накопичення енергії та зарядки електромобілів. Завдяки низьким втратам при перемиканні, високій напрузі ланцюга постійного струму та діодам у міцному корпусі незабаром буде запущено портфоліо діодів на 2000 В.