Infineon lanza el nuevo MOSFET 2000V CoolSiC™

Infineon Technologies lanza el nuevo CoolSiC™ MOSFET 2000V en paquete TO-247PLUS-4-HCC para admitir una mayor densidad de potencia. Adecuado para sistemas solares, de almacenamiento de energía y aplicaciones de carga de vehículos eléctricos. Con bajas pérdidas de conmutación, alto voltaje de enlace de CC y diodos de cuerpo resistente, pronto se lanzará una cartera de diodos de 2000 V.