Innoscience-მა და United Electronics-მა ერთობლივად შექმნეს გალიუმის ნიტრიდის ტექნოლოგიის ლაბორატორია

„ინნოსაიენსმა“ და „იუნაიტედ ავტომოტივ ელექტრონიქსმა“ (UAE) გამოაცხადეს ერთობლივი ლაბორატორიის შექმნის შესახებ, რათა შეიმუშაონ მოწინავე ელექტრონიკის სისტემები ახალი ენერგიის მქონე სატრანსპორტო საშუალებებისთვის, გალიუმის ნიტრიდის (GaN) ტექნოლოგიის ზომის, წონისა და ეფექტურობის უპირატესობების გამოყენებით. ორივე მხარემ ერთობლივი ლაბორატორიის გახსნის ცერემონია გამართა UAE-ს სუჯოუს კვლევისა და განვითარების ცენტრში. GaN-ის ენერგომოწყობილობები ფართოდ გამოიყენება ელექტრომობილებში, განახლებადი ენერგიის სისტემებში, ხელოვნურ ინტელექტსა და მონაცემთა ცენტრის კვების წყაროებში.