Dongwei Semiconductor toob turule 1200 V ränikarbiidist MOSFETi ja selle kolmanda kvartali jõudlus on pidevalt paranenud

Dongwei Semiconductor saavutas 2024. aasta kolmandas kvartalis tulu 261 miljonit jüaani, mis on 10,17% rohkem kui aasta varem. Ettevõte on edukalt välja töötanud esimese ja teise põlvkonna 1200V ränikarbiidiga MOSFET tooted, läbinud töökindluse testimise ja hakanud vastu võtma klientide tellimusi.