Zakończono projekt pakowania i testowania modułów mocy półprzewodnikowych trzeciej generacji firmy Innosilicon

Roczna produkcja Innosilicon Semiconductor, wynosząca 1,2 miliona zestawów modułów mocy półprzewodnikowych trzeciej generacji, oraz projekt testowania zostały ukończone w maju 2024 r. W tym samym miesiącu zakończono również odbiór obiektów służących do ochrony gleby i wody. Według tych informacji, baza produkcyjna Innosilicon w Wuxi, „projekt pakowania i testowania modułów półprzewodnikowych trzeciej generacji”, dysponuje całkowitą inwestycją w wysokości 800 milionów juanów, powierzchnią konstrukcyjną wynoszącą około 30 000 metrów kwadratowych i planowaną roczną zdolnością produkcyjną wynoszącą 1,2 miliona zestawów modułów klasy motoryzacyjnej.