Innosilicon's Drëtt Generatioun Halbleiter Power Modul Verpakung an Testprojet fäerdeg

Dem Innosilicon Semiconductor seng jährlech Produktioun vun 1.2 Millioune Sets vun Drëtt-Generatioun Halbleiter Power Modul Verpakung an Testprojet gouf am Mee 2024 ofgeschloss, an d'Akzeptanz vu Buedem- a Waasserkonservatiounsanlagen gouf am selwechte Mount ofgeschloss. No der Informatioun huet d'Fabrikatiounsbasis vum Innosilicon sengem Wuxi "Drëtt Generatioun Semiconductor Modul Packaging and Testing Project" eng Gesamtinvestitioun vun 800 Millioune Yuan, e Baufläch vun ongeféier 30.000 Quadratmeter, an eng geplangten alljährlech Produktiounskapazitéit vun 1,2 Millioune Sets vun Automotive-grade Moduler.