Silan Microelectronics investeerib 10 miljardit jüaani, et ehitada maailma juhtiv 8-tollise SiC elektriseadmete tootmisliini

Silan Jihong Semiconductor Co., Ltd. koguinvesteering ulatus 12 miljardi jüaanini ning ehitus jagunes kaheks etapiks. Esimeses etapis investeeritakse 7 miljardit jüaani ja see peaks alustama esialgset tootmist 2025. aasta neljandas kvartalis ning proovitootmist oodatakse 2026. aasta esimeses kvartalis. Pärast täisvõimsuse saavutamist jõuab aastane tootmisvõimsus 420 000 8-tollise SiC kiibini. Pärast teise etapi tootmisse panemist suurendatakse kogu tootmisvõimsust 720 000 ühikuni aastas, mis teeb sellest maailma suurima 8-tollise SiC elektriseadmete tootmisliini.