Infineon Technologies გამოუშვებს მსოფლიოში პირველ 300 მმ გალიუმის ნიტრიდის ვაფლის პროდუქტს

Infineon Technologies-მა ცოტა ხნის წინ გამოაცხადა, რომ მათ წარმატებით შექმნეს მსოფლიოში პირველი 300 მმ (12 დიუმიანი) გალიუმის ნიტრიდის ვაფლის პროდუქტი და აპირებენ მის დემონსტრირებას წლევანდელ მიუნხენის ელექტრონიკის შოუზე. Infineon-ის მიერ მოწოდებული მონაცემების მიხედვით, 300 მმ GaN ვაფლის რაოდენობა 200 მმ ვაფლთან შედარებით გაიზარდა 2,3-ჯერ, რაც მნიშვნელოვნად აუმჯობესებს ვაფლის გამოყენებას. წარმოების პროცესის თვალსაზრისით, Infineon-ის 300 მმ GaN იზრდება 300 მმ სილიკონის სუბსტრატზე, რაც ხელს უწყობს არსებული წარმოების რესურსების ეფექტურად გამოყენებას და ასევე ეფექტურად ამცირებს GaN-ის ღირებულებას. Infineon Technologies მოელის, რომ ტექნოლოგიის წინსვლისას, 300 მმ GaN-ის ღირებულება თანდათან გახდება სილიკონის ფასის ტოლი. პროდუქტის წარმოება მოხდება Infineon's Villach-ის ქარხანაში, ავსტრიაში, რომელმაც 2021 წელს დაიწყო 300 მმ სილიკონზე დაფუძნებული პროდუქტების წარმოება. Infineon Technologies პროგნოზირებს, რომ გალიუმის ნიტრიდის ბაზარი მომავალშიც გაგრძელდება და ბაზრის ზომა, სავარაუდოდ, მილიარდ დოლარს მიაღწევს 2030 წლისთვის.