Tongguang Co., Ltd-ə giriş.

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. 2012-ci ilin may ayında ümumi 2 milyard yuan investisiya ilə yaradılmışdır. Biz xammal sintezindən, kristal böyüməsindən, substratın emalından vafli testinə qədər beynəlxalq səviyyədə qabaqcıl və tam karbonlaşdırılmış substrat istehsal xətti qurmaq üçün Çin Elmlər Akademiyasının Yarımkeçiricilər İnstitutu ilə sıx əməkdaşlıq edirik. Tongguang Co., Ltd.-nin xammal sintezindən, kristal böyüməsindən, substratın emalından çipə qədər tam istehsal xəttini əhatə edən ümumi planlaşdırılmış istehsal gücü 700.000 ədəd olan üç fabrik, Baoding Tongguang Crystal Factory, Laiyuan Factory və Baoding Tongguang New Materials Factory var. Hal-hazırda, ümumi istehsal gücü 1 milyon ədəddən çox olan Baoding Tongguang Yeni Materiallar Fabrikinin yalnız birinci mərhələsi istifadəyə verilmişdir. 2012-ci ildə qurulduğu gündən Tongguang Co., Ltd. əsas diqqətini silisium karbid (SiC) materiallarının tədqiqi və inkişafı və istehsalına yönəldib və səkkiz raund maliyyələşdirməni tamamlayıb.