Fuji Productos Eléctricos rehegua

Fuji Electric oreko peteî cartera de productos mbarete, haimete 30% ingreso semiconductor orekóva oúva industria automotriz-gui. Fuji Electric oikuave'ë cartera de productos semiconductores IGBT/MOSFET basado en silicio ha SiC. Ary 2013, omopu'ã hikuái línea de producción pyahu SiC planta Matsumoto-pe, oimehápe instalaciones de procesamiento ha envasado oblea. Umi dispositivo SiC empresa-pegua ojejapo ojeporúvo tecnología oblea SiC 150mm. Fuji Electric producto semiconductor potencia rehegua oñemboja'o aproximadamente mokõi dirección-pe, ha'éva industria automotriz ha general. Roplanea rombohetave haguã venta de aplicaciones automotriz 50% ary 2023 peve, upéicha hetave la mitad ore inversión oime dirección automotriz-pe. IGBT oguereko hetave 60% umi semiconductor ñemuhágui (hembýva ha’e componente discreto campo industrial general-pe, 20% rupi, ha hembýva ha’e componente discreto ámbito automotriz-pe, hamba’e Ore investigación ha desarrollo producto principal ha’e IGBT, ha rosegíta rombohetave investigación ha desarrollo IGBT séptima generación-pe ha romotenondéta desarrollo tecnológico IGBT octava generación-pe. Hembipotápe oime ohupyty 20% participación mercado módulo de potencia SiC pukukue 2025 ha 2026 jave. Oñemopyendáva tamaño estimado mercado, monto ha'e haimete 10-15.000 millones de yens (haimete RMB 600 millones-900 millones).