Qinglan Semiconductor-ის წარმოებამ მიაღწია 1.6 მილიონ ერთეულს

GAC Intelligent Connected New Energy Vehicle-ის ინდუსტრიულმა პარკმა, რომელიც მდებარეობს Hualong Town, Panyu District, Guangzhou, დაიწყო მშენებლობა, მათ შორისაა სილიციუმის კარბიდის მოდულის მწარმოებელი - Guangzhou Qinglan Semiconductor. Yang Xiaojie-მ, Qinglan Semiconductor-ის გენერალურმა მენეჯერმა, გამოავლინა, რომ ერთ საწარმოო ხაზს შეუძლია აწარმოოს ერთი მოდული დაახლოებით ერთ წუთში, წლიური გამომუშავებით 400,000 მოდული. თუმცა, 2023 წლის დეკემბერში, Qinglan Semiconductor-მა IGBT პროექტის ექსპლუატაციაში შესვლის ცერემონიაზე გამოაცხადა, რომ მათი მთლიანი საპროექტო ინვესტიციაა 463 მილიონი იუანი მას შემდეგ, რაც პროექტის ორი ეტაპი მიაღწევს სრულ წარმოებას, IGBT მოდულის წარმოების სიმძლავრე შეიძლება მიაღწიოს 800,000 ერთეულს/წელიწადში, რაც არის გარკვეული უფსკრული ზემოაღნიშნულიდან 1.6 მილიონი ცალი. ამ მიზეზით, ინდუსტრიის ინსაიდერები ვარაუდობენ, რომ Qinglan Semiconductor-მა შეიძლება ააშენოს ორი SiC მოდულის საწარმოო ხაზი, წლიური წარმოების სიმძლავრით 800,000 ერთეული.