STMicroelectronics và Sanan hợp tác xây dựng nhà máy sản xuất chất nền silicon carbide (SiC) 8 inch tại Trùng Khánh

Nhà máy sản xuất tấm nền silicon carbide (SiC) 8 inch do STMicroelectronics (STM) và Sanan Optoelectronics Co., Ltd. thành lập chung tại Trùng Khánh đã bắt đầu sản xuất sớm hơn dự kiến ​​hai tháng. Nhà máy này là khoản đầu tư đáng kể vào chuỗi cung ứng xe điện của Trung Quốc, tích hợp hoạt động R&D và sản xuất vật liệu nền SiC, epitaxy và chip cấp ô tô. Tổng vốn đầu tư cho dự án silicon carbide của Sanan ST là khoảng 30 tỷ nhân dân tệ và doanh thu hàng năm dự kiến ​​đạt 17 tỷ nhân dân tệ. Nhà máy Trùng Khánh sẽ trở thành nhà cung cấp chính các chất nền SiC cho thị trường xe điện đang bùng nổ của Trung Quốc, với công suất sản xuất hàng năm là 480.000 chất nền SiC 8 inch và chip nguồn MOSFET cấp ô tô.