STMicroelectronics і Sanan співпрацюють для будівництва 8-дюймової фабрики з карбіду кремнію (SiC) в Чунціні

Фабрика 8-дюймових підкладок з карбіду кремнію (SiC), створена спільно STMicroelectronics (STM) і Sanan Optoelectronics Co., Ltd. в Чунціні, почала виробництво на два місяці раніше запланованого терміну. Завод є значною інвестицією в китайський ланцюжок постачання електромобілів, об’єднуючи науково-дослідні розробки та виробництво автомобільних підкладок SiC, епітаксії та мікросхем. Загальний обсяг інвестицій у проект карбіду кремнію Sanan ST становить близько 30 мільярдів юанів, а річний дохід очікується на рівні 17 мільярдів юанів. Завод у Чунціні стане основним постачальником підкладок SiC для бурхливого ринку електромобілів Китаю з річною виробничою потужністю 480 000 8-дюймових підкладок SiC і силових мікросхем MOSFET автомобільного класу.