STMicroelectronics et Sanan coopèrent pour construire une usine de substrats en carbure de silicium (SiC) de 8 pouces à Chongqing

L'usine de substrats en carbure de silicium (SiC) de 8 pouces créée conjointement par STMicroelectronics (STM) et Sanan Optoelectronics Co., Ltd. à Chongqing a démarré sa production deux mois plus tôt que prévu. L'usine représente un investissement important dans la chaîne d'approvisionnement des véhicules électriques en Chine, intégrant la R&D et la fabrication de substrats SiC de qualité automobile, d'épitaxie et de puces. L'investissement total du projet de carbure de silicium de Sanan ST est d'environ 30 milliards de RMB et le chiffre d'affaires annuel devrait atteindre 17 milliards de RMB. L'usine de Chongqing deviendra un fournisseur majeur de substrats SiC pour le marché en plein essor des véhicules électriques en Chine, avec une capacité de production annuelle de 480 000 substrats SiC de 8 pouces et de puces de puissance MOSFET de qualité automobile.