Puxing Electronics huet déi zweet ëffentlech Notiz vun der Ëmweltimpakt Bewäertung vum 6-Zoll Low-Density Defekt Silicium Carbide Epitaxial Wafer Industrialiséierungsprojet verëffentlecht

Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd. D'Gesamtinvestitioun vum Projet ass RMB 350 Milliounen Et plangt seng Nummer 1 Planz mat engem Baufläch vu ronn 4.000 Quadratmeter ze benotzen fir 116 Sets vun Siliziumkarbid-Epitaxialausrüstung an Ënnerstëtzungsausrüstung fir eng 6-Zoll Low-Density Defekt Silicon Carbide Epitaxial Material Produktiounslinn ze etabléieren. Et gëtt erwaart datt nodeems de Projet ofgeschloss ass, et eng jährlech Produktiounskapazitéit vun 240.000 Siliziumkarbid Epitaxialwafere wäert hunn.