A WaveLoad 2026 végére tervezi GaN epitaxiális lapkák tömeggyártását elektromos járművekhez

A WaveLoad nemrég bejelentette, hogy a jövő év elején megkezdik a gallium-nitrid epitaxiális lapkák tömeggyártását. A döntést azután hozták meg, hogy a dél-koreai Gyeonggi tartományban, Hwaseongban egy 300 négyzetméteres tisztaszobát építettek 1000-es tisztasággal. Az üzem 4 hüvelykes, illetve 8 hüvelykes gallium-nitrid epitaxiális lapkákat tud gyártani, amelyek gyártási kapacitása 2000, illetve 500 ostya havonta. A WaveLoad jelenleg több ügyfélnek küld mintákat, hogy értékelje termékeinek minőségét és teljesítményét. A vállalat azt tervezi, hogy új gallium-nitrid epitaxiális lapkával bővíti termékcsaládját, amelyet elektromos járművek energiaátalakítására, valamint megújuló energiatermelő és -tároló rendszerekre (ESS) használnak majd. Azt tervezik, hogy 2026 végén kezdik meg ezeknek a 8 hüvelykes szilícium alapú gallium-nitrid epitaxiális lapkáknak a tömeggyártását.