საერთაშორისო 8 დიუმიანი SiC Fab აგრძელებს ლიდერობას

გლობალურად, 8 დიუმიანი SiC Fab კვლავ ლიდერობს. ახლახან ST (STMicroelectronics) გამოაცხადა ახალი მაღალი მოცულობის 200 მმ SiC ქარხნის მშენებლობა კატანიაში, იტალიაში, რომელიც ძირითადად აწარმოებს ელექტრო მოწყობილობებს და მოდულებს, ასევე ჩაატარებს ტესტირებას და შეფუთვას. დაგეგმილია წარმოების დაწყება 2026 წელს და სრული სიმძლავრის მიღწევა 2033 წლისთვის, სავარაუდო ტევადობით 15000 ვაფლი კვირაში. გარდა ამისა, Mitsubishi Electric-მა ასევე გამოაცხადა, რომ მისი SiC ვაფლის ქარხანა კუმამოტოს პრეფექტურაში დაიწყებს მუშაობას 2025 წლის ნოემბერში, დაახლოებით 5 თვით ადრე.