Samsung планує модернізувати свій завод у Сіані в Китаї до 286-шарової стекової технології NAND Flash

Повідомляється, що Samsung Electronics планує модернізувати свою фабрику в Сіані, Китай, до 286-шарової стекової технології NAND Flash, щоб впоратися з нинішнім спадом ринку та дедалі жорсткішою конкуренцією. З 2023 року Samsung на своєму заводі в Сіані просуває основну 128-шарову стекову технологію NAND Flash-пам’яті до 236-шарової технології стекування. Очікується, що модернізація значно збільшить виробничі можливості заводу.