Tianke Heda ombotuichave base industrialización sustrato carburo de silicio rehegua

Tianke Heda oikuaauka base industrialización sustrato carburo de silicio semiconductor tercera generación Pekín-pe omotenondéta mokõiha fase construcción proyecto. Ko base oime Distrito Daxing, Pekín, orekóva peteî área total estimación 52.790,032 metros cuadrados ha peteî área total construcción 105.913,29 metros cuadrados. Ko proyecto oimehápe planta de producción pyahu, almacén químico, almacén de residuos peligrosos, almacén general de residuos sólidos, edificio integral, ha instalaciones de seguridad. Avei, empresa ojoguáta equipo pyahu proceso, oimehápe crecimiento ha accesorio cristal, procesamiento cristal, procesamiento oblea ha ambue equipo, ha oreko plan omopyendávo línea de producción sustrato carburo de silicio 6-8 pulgadas ha centro de I+D. Oñemohu'ã rire ko proyecto, oñeha'ãrõ oproduci 371.000 sustrato carburo de silicio conductor rupi anualmente, oimehápe 236.000 sustrato carburo de silicio conductor 6 pulgadas ha 135.000 sustrato conductor carburo de silicio 8 pulgadas.