Samsung Electronics သည် ၎င်း၏ Pyeongtaek P4 စက်ရုံတွင် 1c nm DRAM စီမံဆောင်ရွက်သည့် စက်ပစ္စည်းကို မိတ်ဆက်ရန် စီစဉ်နေသည်။

Samsung Electronics သည် Pyeongtaek ရှိ ၎င်း၏ P4 စက်ရုံတွင် 1c nm DRAM memory ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို တည်ထောင်ရန် ပြင်ဆင်နေပြီဖြစ်ကြောင်း သတင်းရရှိပါသည်။ HBM4 memory ၏ စွမ်းအင်ထိရောက်မှု ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းကို မြှင့်တင်ရန် ရည်ရွယ်ချက်ဖြင့် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို လာမည့်နှစ် ဇွန်လတွင် စတင်လည်ပတ်ရန် မျှော်လင့်ထားသည်။ Pyeongtaek P4 သည် အဆင့်လေးဆင့်ခွဲ၍ ပေါင်းစပ်ထားသော semiconductor ထုတ်လုပ်မှုစင်တာတစ်ခုဖြစ်သည်။ အစောပိုင်းစီမံကိန်းအဆင့်များတွင်၊ အဆင့်တစ်သည် NAND flash ထုတ်လုပ်မှု၊ အဆင့်နှစ်သည် ယုတ္တိဗေဒတည်ဆောက်မှုဖြစ်ပြီး အဆင့်သုံးနှင့် လေးခုသည် DRAM မှတ်ဉာဏ်ထုတ်လုပ်မှုအပေါ် အာရုံစိုက်မည်ဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင် Samsung သည် P4 ၏ပထမအဆင့်တွင် DRAM ထုတ်လုပ်မှုပစ္စည်းများကို မိတ်ဆက်ခဲ့ပြီးဖြစ်သော်လည်း ဒုတိယအဆင့်တည်ဆောက်မှုကို ရပ်ဆိုင်းထားသည်။