Hunan Sanan Semiconductor đã tổ chức lễ khánh thành thiết bị M6B tại nhà máy sản xuất chip thứ hai

Tổng vốn đầu tư của dự án SiC Hunan Sanan lên tới 16 tỷ nhân dân tệ, mục tiêu là thiết lập một nền tảng sản xuất hàng loạt tích hợp theo chiều dọc 6 inch/8 inch tương thích với toàn bộ chuỗi ngành công nghiệp SiC. Sau khi dự án đạt đến công suất sản xuất tối đa, nó sẽ có khả năng sản xuất 360.000 tấm wafer SiC 6 inch và 480.000 tấm wafer SiC 8 inch mỗi năm. Là một phần quan trọng trong cơ cấu ngành công nghiệp SiC của Hồ Nam Sanan, hoạt động sản xuất của M6B đã thu hút được nhiều sự chú ý. Dự kiến ​​vào tháng 12 năm nay, M6B sẽ được đưa vào sản xuất, chip SiC 8 inch chính thức được đưa vào sản xuất và Hunan Sanan Semiconductor sẽ chính thức chuyển mình thành nhà sản xuất tích hợp theo chiều dọc SiC 8 inch.