Hunan Sanan Semiconductor mbajti një ceremoni për hapjen e pajisjeve M6B në fabrikën e tij të dytë të çipave

Investimi total i projektit Hunan Sanan SiC është deri në 16 miliardë juanë dhe qëllimi është krijimi i një platforme prodhimi masiv vertikalisht të integruar 6 inç/8 inç, e përputhshme me të gjithë zinxhirin e industrisë SiC. Pasi projekti të arrijë prodhimin e plotë, ai do të ketë kapacitetin prodhues për të prodhuar 360,000 vafera SiC 6 inç dhe 480,000 vafera SiC 8 inç në vit. Si një pjesë e rëndësishme e paraqitjes së industrisë SiC të Hunan Sanan, prodhimi i M6B ka tërhequr shumë vëmendje. Pritet që në dhjetor të këtij viti, M6B të vihet në prodhim, çipi SiC 8 inç të vihet zyrtarisht në prodhim dhe Hunan Sanan Semiconductor të shndërrohet zyrtarisht në një prodhues SiC 8 inç të integruar vertikalisht.