„Hunan Sanan Semiconductor“ savo antrojoje lustų gamykloje surengė M6B įrangos atidarymo ceremoniją

Bendros Hunan Sanan SiC projekto investicijos siekia net 16 milijardų juanių, o tikslas – sukurti 6 colių/8 colių vertikaliai integruotą masinės gamybos platformą, suderinamą su visa SiC pramonės grandine. Kai projektas pasieks visą gamybą, jis turės gamybos pajėgumus kasmet pagaminti 360 000 6 colių SiC plokštelių ir 480 000 8 colių SiC plokštelių. M6B gamyba, kaip svarbi Hunan Sanan SiC pramonės išdėstymo dalis, sulaukė daug dėmesio. Tikimasi, kad šių metų gruodį M6B bus pradėtas gaminti, 8 colių SiC lustas bus oficialiai pradėtas gaminti, o Hunan Sanan Semiconductor oficialiai transformuosis į 8 colių SiC vertikaliai integruotą gamintoją.