Hunan Sanan Semiconductor проведе церемония за откриване на оборудването M6B във втория си завод за чипове

Общата инвестиция на проекта Hunan Sanan SiC възлиза на 16 милиарда юана, а целта е да се създаде 6-инчова/8-инчова вертикално интегрирана платформа за масово производство, съвместима с цялата индустриална верига на SiC. След като проектът достигне пълно производство, той ще има производствен капацитет за производство на 360 000 6-инчови SiC пластини и 480 000 8-инчови SiC пластини годишно. Като важна част от оформлението на SiC индустрията на Hunan Sanan, производството на M6B привлече много внимание. Очаква се през декември тази година M6B да бъде пуснат в производство, 8-инчовият SiC чип ще бъде официално пуснат в производство, а Hunan Sanan Semiconductor официално ще се трансформира в 8-инчов вертикално интегриран производител на SiC.