Processo de geração de base Wolfspeed

Em abril de 2022, a fábrica de dispositivos SiC de 200 mm da Wolfspeed em Mohawk Valley, Nova York, EUA, que usa tecnologia de ponta, foi inaugurada oficialmente, o que ajudará muito a promover a transformação de muitas indústrias de produtos baseados em Si para semicondutores baseados em SiC. A Mohawk Valley Device Factory começou a enviar em massa MOSFETs de SiC para clientes finais chineses, com o primeiro lote do modelo de produto C3M0040120K. Em setembro de 2022, a Wolfspeed anunciou que construiria uma nova fábrica de fabricação de material SiC (o John Palmour Silicon Carbide Manufacturing Center) no Condado de Chatham, Carolina do Norte, EUA, usando tecnologia de ponta. A planta fabricará principalmente wafers de SiC de 200 mm, que serão usados ​​para abastecer a fábrica de dispositivos Mohawk Valley da Wolfspeed. A primeira fase da construção da planta está prevista para ser concluída em 2024, e a empresa também expandirá a capacidade adicional com base na demanda. Este plano de investimento aumentará a capacidade de produção de material SiC existente da Wolfspeed em mais de 10 vezes, acelerando a adoção de semicondutores SiC em uma variedade de mercados finais. Em fevereiro de 2023, a Wolfspeed anunciou planos para construir uma planta de fabricação de SiC de 200 mm de ponta e altamente automatizada em Saarland, Alemanha. Esta será a primeira fábrica da Wolfspeed na Europa a atender à crescente demanda por uma ampla gama de aplicações, incluindo automotiva, industrial e energética. A planta de dispositivos de SiC de 200 mm da Wolfspeed em Mohawk Valley, Nova York, se tornará uma parte importante do plano de expansão de capacidade de US$ 6,5 bilhões da Wolfspeed, juntamente com sua planta de materiais de SiC na Carolina do Norte e a planta planejada de fabricação de SiC de 200 mm em Saarland, Alemanha.