Основная продукция Zhanxin Electronics

Zhanxin Electronics собрала основную команду опытных специалистов по проектированию SiC-процессов и устройств, а также по проектированию микросхем драйверов SiC MOSFET из Китая и за рубежом. С момента своего основания компания начала исследования и разработку 6-дюймового SiC MOSFET. Стала первой компанией в Китае, освоившей 6-дюймовые процессы SiC MOSFET и SBD, а также чипы драйверов SiC MOSFET. В сентябре 2020 года первый SiC MOSFET 1200 В 80 мОм прошел сертификацию JEDEC. На данный момент мы получили более KKpcs заявок и заказов на закупку SiC MOSFET. В сентябре 2021 года Zhanxin Electronics официально объявила о массовом производстве 1200 В 25 мОм Full-SiC (IV1B) полумостовых силовых модулей. Основываясь на существующих продуктах SiC MOSFET и SiC SBD, она еще больше улучшила линейку продуктов SiC от Zhanxin Electronics и предоставила простое и гибкое решение для приложений SiC со средним током в промышленных источниках питания, фотоэлектрических приложениях и других областях. В июне 2024 года был выпущен SiC MOSFET третьего поколения 1200 В 13,5 мОм от Zhanxin Electronics. В настоящее время существует три продукта: IV3Q12013T4Z, IV3Q12013BA и IV3Q12013BD. Они в основном используются в системах электропривода транспортных средств. Благодаря своим выдающимся характеристикам они получили заказы на проекты от многих клиентов, занимающихся электроприводом транспортных средств.