De Xingan Technology

Technologia Xingan est summus technicus inceptio in consilio, progressione et fabricatione semiconductoris pii carbidi potentiae astularum et modulorum late bandgap constitutum est mense Septembri 2020 et in Beijing caput est. Nunc, Xingan Technologia justos MOSFET, SBD et moduli productos in tres tabulas voltagenarum 650V, 1200V et 1700V induxit. Singulae machinae fistulae TO-220, TO-247, TO-CCLXXXII, TO-263, TOLLUS et aliae formae fasciculi includuntur. 1200V/80mΩ MOSFET fabrica certificationem AEC-Q101 transiit et ad fideiussorem automotivum-gradum pervenit. Significat etiam nonnullas cogitationes MOSFET inferiores in resistendo evolutas in hoc suggestu processum pervenisse ad gradum certificationis autocineti-gradi.