GlobalWafers firma un memorandum preliminare con il Dipartimento del Commercio degli Stati Uniti, prevede di investire 4 miliardi di dollari per costruire una fabbrica di wafer negli Stati Uniti

Il Dipartimento del Commercio degli Stati Uniti ha annunciato il 17 luglio di aver firmato un memorandum d'intesa preliminare non vincolante con GlobalWafers, il terzo fornitore mondiale di wafer per semiconduttori. GlobalWafers si è impegnata a investire circa 4 miliardi di dollari (circa 29 miliardi di RMB) negli Stati Uniti per costruire due impianti di produzione di wafer da 12 pollici. Tra queste, GlobalWafers costruirà un impianto avanzato per la produzione di wafer di silicio da 300 mm a Sherman, in Texas, e un nuovo impianto per wafer di silicio su isolante ("SOI") da 300 mm a St. Peters, nel Missouri. GlobalWafers prevede inoltre di convertire una parte del suo attuale stabilimento di produzione di wafer epitassiali in silicio a Sherman, in Texas, alla produzione di wafer epitassiali in carburo di silicio ("SiC"), producendo wafer epitassiali in SiC da 150 mm e 200 mm.