สวัสดีครับ เลขานุการตง วันนี้ผมอ่านบทความหนึ่งและพบว่าวิธีการเตรียมพื้นผิว SiC ในรูปของเหลวมีข้อได้เปรียบด้านต้นทุนที่ชัดเจนเมื่อเปรียบเทียบกับวิธีการ PVT ผมสงสัยว่าบริษัทได้ทำการวิจัยเกี่ยวกับวิธีการในรูปของเหลวหรือไม่ ถ้าใช่ คุณได้ดำเนินการวิจัยแล้วหรือยัง การทดลองขนาดเล็ก? หรือสายการผลิตนำร่อง? นอกจากนี้ วัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่ 4 ซึ่งการส่งออกถูกจำกัดโดยสหรัฐอเมริกายังเป็นหนึ่งในแนวทางการวิจัยของศาสตราจารย์ Xu Xiangang บริษัทของคุณมีการร่วมมือด้านการพัฒนาอุตสาหกรรมกับมหาวิทยาลัย Shandong ในเรื่องเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่ 4 หรือไม่ หากมีข้อกำหนดเกี่ยวกับความลับ คุณสามารถตอบได้ว่า: ล้ำหน้าเก

Tianyue Advanced: นักลงทุนที่รัก สวัสดี! เทคโนโลยีการเตรียมพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ ได้แก่ PVT (การขนส่งไอทางกายภาพ) วิธีการละลาย และวิธีการสะสมทางเคมีในเฟสไอที่อุณหภูมิสูง ปัจจุบัน อุตสาหกรรมส่วนใหญ่ใช้วิธี PVT สำหรับการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยวของซิลิกอนคาร์ไบด์ บริษัทได้ดำเนินการอย่างลึกซึ้งในด้านสารตั้งต้นซิลิกอนคาร์ไบด์มาเป็นเวลากว่าสิบปีและอยู่แนวหน้าของการพัฒนาเทคโนโลยีมาโดยตลอด "เทคโนโลยีการเตรียมผลึกเดี่ยวซิลิกอนคาร์ไบด์ในเฟสของเหลว" เป็นหนึ่งในเทคโนโลยีที่เกี่ยวข้องก่อนหน้านี้ของบริษัท บริษัทยึดมั่นใน "เทคโนโลยีขั้นสูง" เสมอ ติดตามแนวโน้มการพัฒนาเทคโนโลยีอุตสาหกรรมอย่างใกล้ชิด เน้นย้ำถึงการวิจัยและพัฒนาและนวัตกรรมเป็นพลังสำคัญของการพัฒนาระยะยาวของบริษัท คว้าโอกาสในการพัฒนาของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ เสริมสร้างความสามารถในการดำเนินงานของตนเองอย่างต่อเนื่อง มุ่งมั่นที่จะขยายจุดเติบโตของกำไร และมุ่งมั่นอย่างต่อเนื่องเพื่อเพิ่มมูลค่าของบริษัท ฉันชื่นชมและขอบคุณคุณสำหรับความเข้าใจเชิงลึกของคุณในอุตสาหกรรม ความเอาใจใส่และการสนับสนุนที่คุณมีต่อบริษัท และขอให้คุณมีชีวิตที่มีความสุข!