Здравейте, секретар Донг. Прочетох една статия днес и научих, че методът за подготовка на течна фаза на SiC има очевидни предимства в сравнение с метода PVT малък опит или пилотна производствена линия? В допълнение, полупроводниковите материали от четвърто поколение, чийто износ е ограничен от Съединените щати, също са едно от изследователските направления на професор Xu Xiangang. Има ли вашата компания някакво индустриално сътрудничество с университета Шандонг по отношение на полупроводниците от четвърто поколение? Ако има изискване за поверителност, можете да отговорите: твърде напреднали, з

Tianyue Advanced: Уважаеми инвеститори, здравейте! Технологиите за подготовка на субстрата от силициев карбид включват PVT (физически транспорт на пари), метод на разтвор и метод на химическо отлагане при висока температура. Компанията е дълбоко ангажирана в областта на субстратите от силициев карбид повече от десет години и винаги е била в челните редици на технологичното развитие. „Технологията за подготовка на монокристален силициев карбид“ е една от по-ранните свързани технологии на компанията. Компанията винаги се придържа към „твърдите технологии“, следи отблизо тенденциите за развитие на индустриалните технологии, настоява за научноизследователска и развойна дейност и иновации като жизненост на дългосрочното развитие на компанията, използва възможностите за развитие на полупроводниковата индустрия, непрекъснато консолидира собствените си оперативни способности , се стреми да разшири точките на растеж на печалбата и непрекъснато се стреми да повишава стойността на компанията. Възхищавам се и ви благодаря за вашето задълбочено разбиране на индустрията, вашето внимание и подкрепа към компанията и ви желая щастлив живот!