A Tianyue előrehaladott tervei szerint 300 millió jüan gyűjtene egy 8 hüvelykes autóipari minőségű szilícium-karbid szubsztrát technológiai fejlesztési projekthez

A Tianyue Advanced bejelentette, hogy 300 millió jüant gyűjt a 8 hüvelykes, autóipari minőségű szilícium-karbid szubsztrát-előkészítési technológia fejlesztésére. A projekt fő kutatási és fejlesztési irányai közé tartozik a SiC növekedési termikus tér szimulációja, a SiC egykristályos feszültségszabályozás stb. A projekt teljes beruházása körülbelül 386 millió jüan lesz, az építési időszak 24 hónap. A sanghaji Tianyue-ben található gyárban valósul meg. Jelenleg a projekt nyilvántartásba vétele és a környezeti hatásvizsgálati eljárások előkészítése folyamatban van.