Пројекат производне линије за напајање МОСФЕТ-а од 2 инча од силицијум карбида

Зхејианг Ксинке Семицондуцтор Цо., Лтд. планира да инвестира у изградњу 2-инчне линије за производњу МОСФЕТ енергетских чипова од силицијум карбида у заливу Фуцхун Нев Товн, округ Фуианг, Хангзхоу. Укупна инвестиција пројекта је милијарду јуана, а предвиђени период изградње је 24 месеца.