Projeto de linha de produção de chip de potência MOSFET de carboneto de silício de 2 polegadas

planeja investir na construção de uma linha de produção de chips de potência MOSFET de carboneto de silício de 2 polegadas na cidade nova de Fuchun Bay, distrito de Fuyang, Hangzhou. O investimento total do projeto é de 1 bilhão de yuans e o período estimado de construção é de 24 meses.