Инвестиција у пројекат Санан СТМицроелецтроницс силицијум карбида износи 30 милијарди, а очекује се да ће годишњи приход достићи 17 милијарди

Укупна инвестиција у пројекат Санан СТ силицијум карбида износи приближно 30 милијарди РМБ. Након што пројекат буде завршен, постаће прва 8-инчна линија за производњу силицијум карбидних супстрата и плочица у земљи, са годишњим производним капацитетом од 480.000 комада 8-инчних подлога од силицијум карбида и МОСФЕТ чипова за напајање аутомобилског квалитета. Очекује се да ће годишњи приход достићи 17 милијарди јуана, што ће ефективно промовисати Цхонгкинг да постане престоница сложених полупроводника треће генерације.