Инвестиции в проект Sanan STMicroelectronics по производству карбида кремния составляют 30 миллиардов долларов, а годовой доход, как ожидается, достигнет 17 миллиардов долларов.

Общий объем инвестиций в проект по производству карбида кремния Sanan ST составляет около 30 миллиардов юаней. После завершения проекта она станет первой в стране 8-дюймовой линией по производству подложек и пластин из карбида кремния с годовой производственной мощностью 480 000 штук 8-дюймовых подложек из карбида кремния и силовых MOSFET-чипов автомобильного класса. Ожидается, что годовой доход достигнет 17 миллиардов юаней, что будет эффективно способствовать превращению Чунцина в столицу производства сложных полупроводников третьего поколения.