Tiến độ kinh doanh SiC bán dẫn Beiyi

Năm 2018, Beiyi Semiconductor đã thành lập nhóm dự án phát triển chip SiC và bắt đầu nghiên cứu, lập kế hoạch về điốt SiC và chip MOSFET. Năm 2019, công ty đã sản xuất thành công điốt JBS 1200V 20A SiC và vượt qua đánh giá độ tin cậy cấp công nghiệp. Vào năm 2021, điốt 1200V SiC JBS và thiết bị rời MOSFET của công ty đã nhận được đơn đặt hàng lô trong lĩnh vực cung cấp điện. Vào năm 2022, Beiyi Semiconductor đã hoàn thành việc phát triển chip SiC MPS cấp 1200V, với dòng điện tăng vọt đạt gấp 12 lần dòng điện định mức. Ngoài ra, công ty cũng đã nhận được các đơn đặt hàng lô nhỏ cho các mô-đun IGBT và SiC cấp 750V và 1200V dành cho các phương tiện sử dụng năng lượng mới. Vào năm 2023, Beiyi Semiconductor đã hoàn thành thiết kế chip SiC MOSFET cổng rãnh 650V và 1200V.