北半導體SiC業務進展

2018年，北半導體成立了SiC晶片開發專案組，開始進行SiC二極體及MOSFET晶片的研究與規劃。 2019年，公司成功產出1200V 20A SiC JBS二極體，並通過了工業級可靠性考核。 2021年，該公司的1200V SiC JBS二極體及MOSFET分立元件在電源領域獲得了批量訂單。 2022年，北半導體完成了1200V等級SiC MPS晶片的開發，突波電流達到了12倍額定電流。此外，該公司的新能源汽車用750V、1200V等級IGBT及SiC模組也獲得了小批量訂單。 2023年，北半導體完成了650V及1200V溝槽柵SiC MOSFET晶片的設計。