Xinlian Integration oipytyvõ proceso de localización umi material carburo de silicio rehegua

Xinlian Integration oinverti heta ñeha'ã carburo de silicio ámbito-pe Ko'ágã, tasa de localización umi material a base de silicio oguahë 90% rupi, péicha localización umi material carburo de silicio oñemohenda porãve gueteri. Umi chip SiC MOSFET integrado grado automotriz Xinlian-pegua pya’e ojeitera, ha pe rendimiento umi chip MOSFET generación G1.7 ipyahuvéva rehegua oĝuahẽ nivel principal mundial-pe.