Nexperia ontwikkel en vervaardig drie prosestoestelle by sy Hamburg-aanleg in Duitsland

Om aan die groeiende langtermynvraag na hoë-doeltreffende kraghalfgeleiers te voldoen, sal Nexperia toestelle ontwikkel en vervaardig in drie prosesse (SiC, GaN en Si) by sy aanleg in Hamburg, Duitsland, wat in Junie 2024 begin. In dieselfde maand sal die maatskappy se hoëspanning GaN d-modus transistor en SiC diode produksielyne begin vervaardig. Nexperia het gesê sy volgende mylpaal sal die konstruksie van 'n 8-duim moderne koste-effektiewe produksielyn vir SiC MOSFET en laespanning GaN HEMT wees. Die produksielyne sal na verwagting binne die volgende twee jaar by die Hamburg-aanleg voltooi wees.