Nexperia ontwikkelt en produceert drie procesapparaten in de fabriek in Hamburg in Duitsland

Om aan de groeiende vraag op lange termijn naar hoogefficiënte vermogenshalfgeleiders te voldoen, zal Nexperia vanaf juni 2024 apparaten in drie processen (SiC, GaN en Si) ontwikkelen en produceren in de fabriek in Hamburg, Duitsland. In dezelfde maand zullen de productielijnen van de hoogspannings GaN d-mode transistor- en SiC-diodeproductielijnen van het bedrijf beginnen. Nexperia zei dat de volgende mijlpaal de bouw zal zijn van een 8-inch moderne, kosteneffectieve productielijn voor SiC MOSFET en laagspannings GaN HEMT. De productielijnen in de fabriek in Hamburg zullen naar verwachting binnen de komende twee jaar voltooid zijn.