Megkezdődik a Xinlian Integrated Kína első 8 hüvelykes SiC MOSFET gyártósorának gyártása

A Xinlian Integration 2024 áprilisában kezdte meg az első 8 hüvelykes SiC MOSFET gyártósor építését Kínában, és ugyanezen év december 30-án jelentette be a felvásárlást. A cég 6 hüvelykes SiC MOSFET gyártási kapacitása elérte a havi 8000 darabot, míg a 8 hüvelykes IGBT és szilícium alapú MOSFET gyártási kapacitása elérte a 70 000 darabot havonta. Ennek az új gyártósornak a tömeggyártása várhatóan 2025-ben indul.