Anhui חותם על פרויקט IGBT חדש

לאחרונה, מחוז יי, מחוז אנהוי חתם בהצלחה על פרויקט IGBT חשוב. פרויקט זה הושקע על ידי Zhejiang Wangrong Semiconductor Co., Ltd, בהשקעה כוללת של 500 מיליון יואן. הפרויקט מתכנן לבנות בסיס אריזות וייצור מודול חדש של IGBT במחוז Yi. הוא צפוי לקבל כושר ייצור שנתי של 14 מיליון חבילות ומודולים של IGBT לאחר השלמתו. לאחר שהפרויקט יגיע לייצור מלא, הוא צפוי להשיג הכנסה שנתית של 150 מיליון יואן ותשלום מס שנתי של 4 מיליון יואן.