شرکت ژاپنی Toyoda Gosei با موفقیت یک ویفر تک کریستالی گالیوم نیترید 200 میلی متری تولید کرد.

شرکت Toyoda Gosei ژاپن اعلام کرد که با موفقیت یک ویفر تک کریستالی 200 میلی متری (8 اینچی) نیترید گالیوم (GaN) برای ترانزیستورهای عمودی توسعه داده است. این نوع جدید ترانزیستور می تواند چگالی دستگاه توان بالاتری را نسبت به ترانزیستورهای جانبی سنتی ارائه دهد و می تواند در فرآیندهای GaN-on-Si 200 میلی متر و 300 میلی متر اعمال شود. محققان دانشگاه اوزاکا و تویودا گوسی با موفقیت کریستال‌های GaN شش ضلعی با طول مورب کمی کمتر از 200 میلی‌متر را بر روی یک بستر دانه‌ای چند نقطه‌ای (MPS) 200 میلی‌متری با استفاده از فرآیند شار Na رشد دادند.