Samsung Electronics planlegger å lansere neste generasjons V-NAND-teknologi

I følge koreanske medier planlegger Samsung Electronics å lansere neste generasjons V-NAND-teknologi med mer enn 400 lag i 2026 og lansere 0a nm DRAM basert på VCT-struktur i 2027. Denne nye typen V-NAND-teknologi kalles BV (Bonding Vertical) NAND Den vil endre den eksisterende CoP perifere cellestrukturen ved å produsere minnecellene og perifere kretser separat og deretter utføre vertikal binding, og dermed unngå NAND-stablingsprosessen ikke skade den perifere kretsstrukturen og kan oppnå en bittetthet som er 60 % høyere enn CoP-løsningen. I tillegg vil antallet V11 NAND-lag i 2027 økes ytterligere, I/O-raten kan økes med 50 %, og tusenvis av lag med stabling forventes å bli oppnådd i fremtiden.