Samsung Electronics oguenohẽ tape pyahu almacenamiento rehegua

Samsung Electronics nda’aréi oguenohẽ peteĩ hoja de ruta pyahu almacenamiento rehegua, oguerekóva plan omoñepyrũvo peteĩ serie de soluciones almacenamiento ipyahúva ko’ã arýpe. Umíva apytépe, ojehecharamovéva ha'e tecnología V-NAND generación oúva orekóva hetave 400 capa oñemoherakuãva'erã 2026-pe ha DRAM 0a nm oñemopyendáva estructura VCT oñemoherakuãva 2027-pe. Ko’ã tecnología pyahu oipytyvõta omohenda porãve haguã rendimiento ha capacidad umi dispositivo almacenamiento ombohovái haguã umi tekotevê okakuaáva procesamiento de datos.