Xingdi Technology GaN epitaksiyel gofret üretim hattı projesi büyük bir yatırıma sahip

Xingdi Teknoloji Projesi'ndeki toplam yatırım 3 milyar yuan'a kadar olup, bunun ilk aşama yatırımı 1 milyar yuan olup yarı iletken üretim tesisleri ve destek tesislerinin planlanması ve inşasında kullanılacaktır. Proje liderine göre projenin inşaat süresi 18 ay ve yılda 120.000 adet 6 inç GaN epitaksiyel levha üretilmesi bekleniyor.