Xingdi Technology GaN epitaxial wafer produksjonslinjeprosjekt har enorme investeringer

Den totale investeringen i Xingdi Technology Project er opptil 3 milliarder yuan, hvorav førstefaseinvesteringen er 1 milliard yuan, som vil bli brukt til å planlegge og konstruere halvlederproduksjonsanlegg og støtteanlegg. Ifølge prosjektlederen er byggeperioden for prosjektet 18 måneder og forventes å produsere 120 000 6-tommers GaN epitaksiale wafere årlig.