Il progetto della linea di produzione di wafer epitassiali GaN di Xingdi Technology prevede enormi investimenti

L'investimento totale nel progetto tecnologico Xingdi ammonta a 3 miliardi di yuan, di cui l'investimento della prima fase è di 1 miliardo di yuan, che verrà utilizzato per pianificare e costruire impianti di produzione di semiconduttori e strutture di supporto. Secondo il leader del progetto, il periodo di costruzione del progetto è di 18 mesi e si prevede che produrrà 120.000 wafer epitassiali GaN da 6 pollici all'anno.